IRFR9210详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 1.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.9nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:170pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRFR9210PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 1.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.9nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:170pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRFR9210TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 1.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.9nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:170pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR9210TRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 1.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.9nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:170pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR9210TRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 1.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.9nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:170pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR9210TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 1.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.9nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:170pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1206(3216 公制) CAP FILM 1200PF 100VDC 1206
- 振荡器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC TCXO 26.000MHZ 3.0V SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
- 时钟/计时 - 时钟缓冲器,驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC CLOCK BUFFER 1:5 80MHZ 20SOIC
- 振荡器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC TCXO 13.000MHZ 2.8V SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 330PF 2KV 10% RADIAL
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 12POS PANEL MNT W/SCKT
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1206(3216 公制) CAP FILM 1200PF 100VDC 1206
- 时钟/计时 - 时钟缓冲器,驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC CLOCK BUFFER 1:5 80MHZ 20SOIC
- 振荡器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC TCXO 19.200MHZ 3.0V SMD
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 330PF 2KV 10% RADIAL
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 9POS PANEL MNT W/PINS
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1206(3216 公制) CAP FILM 1500PF 100VDC 1206