IRFR3910TR 全国供应商、价格、PDF资料
IRFR3910TRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:640pF @ 25V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR3910TRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:640pF @ 25V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR3910TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:640pF @ 25V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
IRFR3910TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:640pF @ 25V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
IRFR3910TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:640pF @ 25V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR3910TRR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:640pF @ 25V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 宽) IC SRAM 256KBIT 15NS 28TSOP
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 400 MHZ 3.3V LVDS SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 6.3PF 50V S2H 0402
- LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 径向 LED 5MM INGAN 505NM CYAN 15DEG
- FET - 单 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 72.606816 MHZ 3.3V LVDS SMD
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 宽) IC SRAM 256KBIT 12NS 28TSOP
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
- LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 径向 LED 5MM INGAN 505NM CYAN 23DEG
- 配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK CONN CRIMPLESS BLACK
- FET - 单 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 1KV 15A PLUS247
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 96 MHZ 3.3V LVDS SMD
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 宽) IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP