IRFR3708详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:61A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2417pF @ 15V
- 功率_最大:87W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRFR3708PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:61A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2417pF @ 15V
- 功率_最大:87W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRFR3708TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:61A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2417pF @ 15V
- 功率_最大:87W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR3708TRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:61A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2417pF @ 15V
- 功率_最大:87W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR3708TRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:61A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2417pF @ 15V
- 功率_最大:87W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR3708TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:61A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2417pF @ 15V
- 功率_最大:87W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
- LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 径向 LED 5MM INGAN 472NM BLUE 30DEG
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
- FET - 单 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 100V 80A TO-268
- 配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK DUPL CRIMP RING 500
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-TBGA IC SRAM 512KX36 SYNC 165-FBGA
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 148.352 MHZ 3.3V LVDS SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 5.4PF 50V S2H 0402
- LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 径向 LED 5MM INGAN 470NM BLUE 30DEG
- 配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK DUPL CRIMP RING 500
- FET - 单 IXYS TO-220-3(SMT)标片 MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 296.703297 MHZ 3.3V LVDS SMD
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 18MBIT 100MHZ 165LFBGA
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 5.5PF 50V S2H 0402
- LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 径向 LED 5MM INGAN 470NM BLUE 30DEG