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IRFR210TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 欧姆 @ 1.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR210TRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 欧姆 @ 1.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR210TRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 欧姆 @ 1.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

IRFR210TRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 欧姆 @ 1.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

IRFR210TRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 欧姆 @ 1.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR210TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 欧姆 @ 1.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

HH-3570-B
箱 Bud Industries 径向，圆盘 BOX ABS 7.15X2.56X1.09" BLK
HLMP-CM26-X1000
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 径向 LED 5MM INGAN 525NM GREEN 23DEG
E32-TC200F
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER M3 W/SLEEVE THRU BEAM
IRFR210BTM_FP001
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
E3B2-D2M4-US-N
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS RELAY TIMER 3M DIFFUSE REFL
ISC1812ES3R9J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 3.9UH 5% 1812
HCPL-2219#360
光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD，鸥翼型 OPTOCOUPLER 2.5MBD VDE 8-SMD GW
ISL6333CIRZ
PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 48-VFQFN 裸露焊盘 IC CTRLR PWM 3PHASE BUCK 48-QFN
HH-3630
电池座，夹，触点 Bud Industries 径向，圆盘 HOLDER BATT 2AAA W/6IN LEADS
E32-TC200F4
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS M3 40MM PROBE THRUBEAM
ISC1812ES4R7J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 4.7UH 5% 1812
E3B2-R5M4D-US
专用 Omron Electronics Inc-IA Div SENS RELAY TIMER 5M RETROREFLECT
HCPL-2219-500E
光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD，鸥翼型 OPTOCOUPLER 1CH 2.5MBD 8-SMD
ISL6334ACRZ-T
PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 40-VFQFN 裸露焊盘 IC CTRLR PWM 4PHASE BUCK 40-QFN
HHB-1K0187
保险丝座 Cooper Bussmann 径向，圆盘 FUSEHOLDER 30A 32V INLINE UL

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