IRFP250详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AD
- 系列：-
- 制造商：IXYS
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫欧 @ 18A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2970pF @ 25V
- 功率_最大：190W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247AD
- 包装：管件
IRFP250详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 33A TO-247
- 系列：PowerMESH™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：33A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫欧 @ 16A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：158nc @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2850pF @ 25V
- 功率_最大：180W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247-3
- 包装：管件
IRFP250MPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 18A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：123nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2159pF @ 25V
- 功率_最大：214W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247AC
- 包装：管件
IRFP250NPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 18A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：123nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2159pF @ 25V
- 功率_最大：214W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247AC
- 包装：散装
IRFP250PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫欧 @ 18A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 25V
- 功率_最大：190W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247-3
- 包装：管件
IRFP254详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 23A TO-247AC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：23A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫欧 @ 14A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2700pF @ 25V
- 功率_最大：190W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247-3
- 包装：管件
- FET - 单 International Rectifier TO-247-3 MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
- 固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 820NH 5% 1210
- 摇臂 NKK Switches SWITCH ROCKER DPST 10A 125V
- 陶瓷 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 330PF 100V 5% NP0 0805
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.068UF 50V 20% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 1825（4564 公制） CAP CER 10000PF 630V NP0 1825
- 配件 Honeywell Sensing and Control 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） LEVER SPRNG LEAF FOR LIMT SWITCH
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DRIVER HI/LO SIDE HV 8-SOIC
- 摇臂 NKK Switches SWITCH ROCKER DPDT 10A 125V
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.068UF 50V 20% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 3.3PF 100V NP0 0805
- 配件 Honeywell Sensing and Control 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） LEVER SPRNG LEAF FOR LIMT SWITCH
- 陶瓷 AVX Corporation 1825（4564 公制） CAP CER 10000PF 630V X7R 1825
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 STMicroelectronics 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DRIVER HI/LO SIDE HV 14-SOIC
- 摇臂 NKK Switches SWITCH ROCKER SPST 10A 125V
0755-83202411 
13528893675 
0755-82561519 
13510131896 
0755-83663430 
0755-88917652 
0755-82561519 
0755-18503085 
755-88608527（ 
0755-82578309 
755-83950890（ 
755-83241160（ 
0755-82524712 
0755-88291559 
0755-83777708 
