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IRFL110详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫欧 @ 900mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：管件

IRFL110PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫欧 @ 900mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：管件

IRFL110TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫欧 @ 900mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：带卷 (TR)

IRFL110TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫欧 @ 900mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：带卷 (TR)

IRFL110TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫欧 @ 900mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：剪切带 (CT)

IRFL110TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫欧 @ 900mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：Digi-Reel®

ISC1210EBR27J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 270NH 5% 1210
LD051A100GAB4A
陶瓷 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 10PF 100V 2% NP0 0805
K682K15X7RF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 6800PF 50V 10% RADIAL
JWL11RC2A
摇臂 NKK Switches 1206（3216 公制）宽（长侧）0612（1632 公制） SWITCH ROCKER SPST 16A 125V
IRFL110PBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
JS28F128J3D75B
存储器 Micron Technology Inc 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） IC FLASH 128MBIT 75NS 56TSOP
LD1117DT33CTR
PMIC - 稳压器 - 线性 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IC REG LDO 3.3V .95A D-PAK
ISC1210EBR56K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 560NH 10% 1210
LD051A101JAB4A
陶瓷 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 100PF 100V 5% NP0 0805
JWL12RAA/U
摇臂 NKK Switches 1206（3216 公制）宽（长侧）0612（1632 公制） SWITCH ROCKER SPDT 16A 125V
ISC1210EBR68J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 680NH 5% 1210
LD1117DT33TR
PMIC - 稳压器 - 线性 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IC REG LDO 3.3V .95A D-PAK
JS28F128J3F75A
存储器 Micron Technology Inc 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） IC FLASH 128MBIT 65NM 56TSOP
LD051A101KAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 100PF 100V 10% NP0 0805
K682K15X7RK5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 6800PF 200V 10% RADIAL

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