IRFIZ48N详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:36A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫欧 @ 22A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
- 功率_最大:42W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:TO-220AB 整包
- 包装:管件
IRFIZ48NPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:40A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫欧 @ 22A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
- 功率_最大:54W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:TO-220AB 整包
- 包装:管件
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 28.7 OHM 1W 1% 2512 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2512(6432 公制) RES .005 OHM 2W 1% 2512 SMD
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2512(6432 公制) RES .001 OHM 2W 1% 2512 SMD
- 矩形 Samtec Inc TO-220-2 CONN SOCKET IDC DUAL
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
- TVS - 变阻器,MOV Littelfuse Inc - VARISTOR 40KA THRML PRTCD 510V
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 2.00K OHM 1.5W 1% 2512 SMD
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 0804(2010 公制),凹陷 RES ARRAY 390 OHM 4 RES 0804
- 矩形 Samtec Inc TO-220-2 CABLE ASSEM 20POS
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2512(6432 公制) RES .005 OHM 2W 1% 2512 SMD
- TVS - 变阻器,MOV Littelfuse Inc - VARISTOR 40KA THRML PRTCD 750V
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 2.05K OHM 1W 1% 2512 SMD
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 0804(2010 公制),凹陷 RES ARRAY 39K OHM 4 RES 0804
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 60V 39A TO220FP