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IRFH7932TR2PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：24A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4270pF @ 15V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerVDFN; 供应商设备封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘; 包装：带卷 (TR)

IRFH7932TR2PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：24A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4270pF @ 15V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerVDFN; 供应商设备封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘; 包装：剪切带 (CT)

IRFH7932TR2PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：24A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4270pF @ 15V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerVDFN; 供应商设备封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘; 包装：Digi-Reel®

IRFH7932TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：24A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4270pF @ 15V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerVDFN; 供应商设备封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘; 包装：Digi-Reel®

IRFH7932TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：24A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4270pF @ 15V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerVDFN; 供应商设备封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘; 包装：带卷 (TR)

IRFH7932TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：24A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4270pF @ 15V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerVDFN; 供应商设备封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘; 包装：剪切带 (CT)

L60030C1SQDIN
保险丝座 Littelfuse Inc 32-LQFP FUSEBLOCK 30A 600V 1POLE DIN MNT
K681J15C0GF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 680PF 50V 5% RADIAL
JRC-SC2-212
圆形 - 触点 Hirose Electric Co Ltd CONTACT SKT CRIMP 20-24AWG SILVR
LD08HC471KAB1A
陶瓷 AVX Corporation 1808（4520 公制） CAP CER 470PF 3KV 10% X7R 1808
IRFH7921TR2PBF
FET - 单 International Rectifier 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
IS43DR86400B-3DBLI
存储器 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 60-TFBGA IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TWBGA
LD101A102JAB2A
陶瓷 AVX Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 1000PF 100V 5% NP0 1210
L60030C2CDIN
保险丝座 Littelfuse Inc 32-LQFP FUSEBLOCK 30A 600V 2POLE DIN MNT
JRC-TC-12
压接器，施用器，压力机 Hirose Electric Co Ltd TOOL HAND MANUAL CRIMP 18-20AWG
K681J15C0GH53H5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 680PF 100V 5% RADIAL
LD035A131GAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 130PF 50V 2% NP0 0603
JRCW450U641-TZ
DC DC Converters GE 9-DIP 模块 DC/DC CONVERTER 48V 450W
LD101C104JAB2A
陶瓷 AVX Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 0.1UF 100V 5% X7R 1210
IS456
光学 - 光电探测器 - 环境光传感器 Sharp Microelectronics 4-SMD，鸥翼型 LIGHT DETECTOR OPIC 660NM SMD
IRFH7936TR2PBF
FET - 单 International Rectifier 8-PowerVQFN MOSFET N-CH 30V 20A PQFN56

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