IRFBC40AS详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 3.7A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1036pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRFBC40ASPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 3.7A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1036pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRFBC40ASTRL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 3.7A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1036pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRFBC40ASTRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 3.7A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1036pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRFBC40ASTRR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 3.7A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1036pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRFBC40ASTRRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 3.7A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1036pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OP AUDIO LOW NOISE 8SOIC
- 晶体 ECS Inc 8-SMD，无引线（QFN，LCC） MONO CRYST FILTER 7.5KHZ BW SMD
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 3300PF 200V 10% RADIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
- 陶瓷 United Chemi-Con 堆叠式 SMD，2条 J 型引线 CAP CER 6.8UF 100V 20% X7R SMD
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 390PF 100V X7R RADIAL
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.075UF 630VDC RADIAL
- 晶体 ECS Inc 8-SMD，无引线（QFN，LCC） MONO CRYST FILTER 15KHZ BW SMD
- 线性 - 视频处理 Texas Instruments 16-WQFN 裸露焊盘 IC CABLE DVR SERIAL DGTL 16-LLP
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 3300PF 50V X7R RADIAL
- 陶瓷 United Chemi-Con 堆叠式 SMD，2条 J 型引线 CAP CER 33UF 25V 20% X7R SMD
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.75UF 630VDC RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 390PF 100V X7R RADIAL
- 线性 - 视频处理 Texas Instruments 16-WQFN 裸露焊盘 IC CABLE DVR SERIAL DIGITAL
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 IC CURRENT SENSE AMP 100V 6-TSOT
0755-22929859 
18927479189 
0512-67241533 
0755-83777708 
0755-23919407 
0755-82533534 
0755-83291010 
0755-83268779 
15026993318 / 
13410941925 
15821228847 / 
0755-82723761 
0755-89697985 
0755-66887761 
0755-88291559 
