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IRFBC40A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 3.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1036pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRFBC40AL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 3.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1036pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

IRFBC40APBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 3.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1036pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRFBC40AS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 3.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1036pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRFBC40ASPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 3.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1036pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRFBC40ASTRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 3.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1036pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IXFL44N80
FET - 单 IXYS ISOPLUS264? MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264
IDT72205LB25PF8
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 256X18 SYNC 25NS 64-TQFP
ISL85033IRTZ-T7A
PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Intersil 28-WFQFN 裸露焊盘 IC REG BUCK SYNC ADJ 3A 28TQFN
IDT7027S25PFI8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP
IRFBC30SPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IXFL60N80P
FET - 单 IXYS ISOPLUS264? MOSFET N-CH 800V 40A ISOPLUS264
CV31E600
微调器，可变 Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components 64-TQFP CAP TRIMMER 15-60PF 200V TH
ISL9502AHRZ-T
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 48-VFQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR PWM 48-QFN
ISL8703AIBZ
PMIC - 监控器 Intersil 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC SEQUENCER QUAD ADJ 14-SOIC
IDT7027S55PF
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP
IXFL70N60Q2
FET - 单 IXYS ISOPLUS264? MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264
ISL9502CRZ-T
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 48-VFQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM 48-QFN
CV500-BC031
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 64-TQFP BACKPLANE CPU 3 SLOT
ISL88001IE22Z-TK
PMIC - 监控器 Intersil SC-70，SOT-323 IC VOLT SUPERVISOR 2.19V SC-70
IDT72211L15J8
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LCC（J 形引线） IC FIFO 512X9 SYNC 15NS 32-PLCC

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