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IRFBC30详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 欧姆 @ 2.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRFBC30A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 欧姆 @ 2.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRFBC30AL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 欧姆 @ 2.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

IRFBC30ALPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 欧姆 @ 2.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

IRFBC30APBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 欧姆 @ 2.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRFBC30AS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 欧姆 @ 2.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

LME49860MABD
评估板 - 运算放大器 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） BOARD EVALUATION LME49860MA
K332K15X7RK5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 3300PF 200V X7R RADIAL
IRFBC30A
FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
LMP8358MT/NOPB
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC AMP PROG GAIN 14-TSSOP
KTF500B155M32N0T00
陶瓷 United Chemi-Con 1210（3225 公制） CAP CER 1.5UF 50V 20% X7R 1210
K391K15C0GH5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 390PF 100V 10% RADIAL
LME49860NABD
评估板 - 运算放大器 Texas Instruments 8-DIP（0.300"，7.62mm） BOARD EVALUATION LME49860NA
ECS-36-S-1
晶体 ECS Inc HC49/U CRYSTAL 3.6864 MHZ SER 49UA
ECW-F6683HLB
薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.068UF 630VDC RADIAL
LMP8602QMM/NOPB
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC AMP CURRENT SENSE 60V 8-MSOP
KTG2CNB1BBNNNN
摇臂 Cherry 1812（4532 公制） SWITCH ROCKER SPDT 20A 125V
K391K15C0GL53H5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 390PF 500V 10% RADIAL
ECS-36-S-1
晶体 ECS Inc HC49/U CRYSTAL 3.6864 MHZ SER 49UA
LME49870MAX/NOPB
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC AMP AUDIO MONO AB HIFI 8SOIC
ECW-F6683JL
薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.068UF 630VDC RADIAL

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