IRFB11N50A详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:520 毫欧 @ 6.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:52nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1423pF @ 25V
- 功率_最大:170W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRFB11N50APBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:520 毫欧 @ 6.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:52nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1423pF @ 25V
- 功率_最大:170W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
- 评估板 - 运算放大器 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) BOARD EVALUATION FOR LME49722
- 晶体 ECS Inc HC49/U CRYSTAL 3.6864 MHZ 18PF 49UA
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 3300PF 200V 5% RADIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
- 陶瓷 United Chemi-Con 1206(3216 公制) CAP CER 0.22UF 100V 10% X7R 1206
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.056UF 630VDC RADIAL
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 3.6864MHZ 20PF SMD
- 未定义的系列 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC AMP AUDIO STER AB HIFI 8SOIC
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 STMicroelectronics 20-DIP(0.300",7.62mm) IC REG BUCK ADJ 2A 20DIP
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 3300PF 200V 5% RADIAL
- 陶瓷 United Chemi-Con 1206(3216 公制) CAP CER 2.2UF 25V 20% X7R 1206
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.56UF 630VDC RADIAL
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘 IC AMP AUDIO STER AB HIFI 8MSOP
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 3.6864MHZ 20PF SMD
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 STMicroelectronics 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC REG BUCK 3.3V/ADJ 3.5A 20SOIC