IRF9530详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫欧 @ 7.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:88W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRF9530L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 12A TO-262
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫欧 @ 7.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:I2PAK
- 包装:管件
IRF9530NL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 14A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫欧 @ 8.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:58nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRF9530NPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 14A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫欧 @ 8.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:58nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 25V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRF9530NS详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫欧 @ 8.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:58nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF9530NSPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫欧 @ 8.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:58nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1608(4021 公制),凹陷 RES ARRAY 1M OHM 8 RES 1608
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 5.6UH 6.0A SMD
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1608(4021 公制),凹陷 RES ARRAY 120 OHM 8 RES 1608
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 210K OHM 1W 1% 2512 SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 8200UH .17A SMD
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1608(4021 公制),凹陷 RES ARRAY 150 OHM 8 RES 1608
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 215 OHM 1W 1% 2512 SMD
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK