IRF9520S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫欧 @ 4.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:390pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF9520SPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫欧 @ 4.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:390pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF9520STRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫欧 @ 4.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:390pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRF9520STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫欧 @ 4.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:390pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRF9520STRR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫欧 @ 4.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:390pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRF9520STRRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫欧 @ 4.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:390pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.027UF 250VDC RADIAL
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 10POS JAM NUT W/SKTS
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
- 模块 - 带磁性元件的插座 Pulse Electronics Corporation TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 CONN PULSEJACK 1PORT 10/100B-TX
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 5POS CBL MNT PIN
- 触摸 C&K Components 431-BFBGA,FCBGA SWITCH TACTILE SPST-NO 0.02A 32V
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 15UH 5% 1812
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT ULT FAST 600V 28A D2PAK
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.027UF 250VDC RADIAL
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 55POS CBL MNT SKT
- 模块 - 带磁性元件的插座 Pulse Electronics Corporation TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 CONN PULSEJACK 1PORT 10/100B-TX
- 磁性 - 霍尔效应,数字式开关,线性,罗盘 (IC) NXP Semiconductors 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC MAGNETIC FIELD SENSOR 16-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 150UH 5% 1812
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-220-3 IGBT STD 600V 34A TO-220AB
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.027UF 250VDC RADIAL