IRF8910GPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH 20V 10A SO-8
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.4 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：960pF @ 10V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF8910GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 10A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.4 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：960pF @ 10V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
IRF8910GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 10A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.4 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：960pF @ 10V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF8910GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 10A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.4 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：960pF @ 10V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
IRF8910PBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.4 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：960pF @ 10V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF8910TRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：HEX/MOS N-CH DUAL 20V 10A 8SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.4 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：960pF @ 10V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
- FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
- 单二极管/齐纳 Comchip Technology 1206（3216 公制） DIODE ZENER 75V 500MW 1206
- PMIC - 热交换 Intersil SC-74A，SOT-753 IC CTRLR HOT PLUG SOT23-5
- FET - 阵列 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 25V 7.8A 8TSSOP
- 板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 Samtec Inc 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） CONN INTERFACE ONE PC 1MM 60POS
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.85V .15A/.3A 10-DFN
- 二极管，整流器 Vishay Semiconductors D-67 半封装 DIODE HEXFRED 600V 140A HALF-PAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 2000PF 50V 5% NP0 0603
- FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 12-VFDFN 裸露焊盘 IC DRIVER HALF BRIDGE 100V 12DFN
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.85V .15A/.3A 10-DFN
- 单二极管/整流器 Vishay Semiconductors TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB DIODE HEXFRED 1200V 16A D2PAK
- 过时/停产零件编号 Freescale Semiconductor BUS ANALYZER CABLE
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 2000PF 50V 5% NP0 0603
- 矩形 - 外壳 Samtec Inc TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 CONN HOUSING 6POS 2.54MM DUAL
13510131896 
0755-88917652 
0755-88291559 
0755-22655674 
19166203057 
0755-84507209 
0755-82542579 
0755-83231869 
0755-82533534 
0512-67241533 
010-62962871、 
075582788161 
021-51872165/ 
13410941925 
18913062888 
0755-83242658 
