IRF8707GPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11.9 毫欧 @ 11A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.35V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.3nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
IRF8707GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11.9 毫欧 @ 11A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.35V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.3nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
IRF8707GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11.9 毫欧 @ 11A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.35V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.3nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
IRF8707GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11.9 毫欧 @ 11A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.35V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.3nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:Digi-Reel®
IRF8707PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11.9 毫欧 @ 11A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.35V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.3nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
IRF8707TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11.9 毫欧 @ 11A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.35V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.3nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
- 多功能 Honeywell Sensing and Control 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SENSOR DIG HUMIDITY TEMP SMD
- 配件 Vishay Sprague 0.178" x 0.128"(4.52mm x 3.25mm) BRACKET/SPACER HE3 CAPACITOR
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
- 固定式 AVX Corporation 0402(1005 公制) INDUCTOR 22NH 180MA 0402
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 16-UFQFN IC DGTL POT 2CH 100K 16UTQFN
- 矩形 - 外壳 JST Sales America Inc 径向,圆盘 CONN RECEPT HOUSING 3POS BLUE
- 评估演示板和套件 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) EVAL BOARD W/CURRENT MONITOR
- 固定式 AVX Corporation 0402(1005 公制) INDUCTOR 2.4NH 330MA 0402
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 86POS .100 R/A PCB
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC DGTL POT 2CH 100K 14TSSOP
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
- PMIC - O 圈控制器 Intersil IC INTERFACE
- 矩形 - 外壳 JST Sales America Inc 径向,圆盘 CONN RECEPT HOUSING 4POS BLUE
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 86POS .100 EYELET