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IRF840LC详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF840LCL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

IRF840LCLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

IRF840LCPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF840LCS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF840LCSPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

PCA8575PW,118
接口 - I/O 扩展器 NXP Semiconductors 24-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC I/O EXPANDER I2C 16B 24TSSOP
OSTYK50612330
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 12CIRC 9.50MM
IRF840ASTRLPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
P1330-823K
固定式 API Delevan Inc 非标准 INDUCTOR POWER 82.0UH SMD
IRFR9024TR
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
P-500DR F7
电池组 Panasonic - BSG 钮扣电池 BATTERY PACK NICAD 8.4V 5000MAH
OSTVJ104150
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 7.5MM 10POS PCB
NZ-Q32
尖端，喷嘴 OKI/Metcal 24-VFQFN 裸露焊盘 NOZZL QUAD 32X32MM PLCC84,QFP208
PCA8576CH/Q900/1,1
PMIC - 显示器驱动器 NXP Semiconductors 64-LQFP IC LCD DRIVER 40SEG I2C 64LQFP
P1330R-103K
固定式 API Delevan Inc 非标准 INDUCTOR POWER 10.0UH SMD
IRFR9210TRL
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
OSTVJ106150
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 7.62MM 10POS PCB
P-500DR L2X5
电池组 Panasonic - BSG 钮扣电池 BATTERY PACK NICAD 12V 5000MAH
NZ-Q35
尖端，喷嘴 OKI/Metcal 24-VFQFN 裸露焊盘 NOZZLE QUAD 35MM X 35MM
PCA8576DU/2DA/Q2,0
其它 NXP Semiconductors 64-LQFP IC LCD DRIVER AUTO 40X4 UNCASED

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