IRF840A详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:850 毫欧 @ 4.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1018pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRF840AL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:850 毫欧 @ 4.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1018pF @ 25V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:I2PAK
- 包装:管件
IRF840ALPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:850 毫欧 @ 4.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1018pF @ 25V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:I2PAK
- 包装:管件
IRF840APBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:850 毫欧 @ 4.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1018pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRF840AS详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:850 毫欧 @ 4.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1018pF @ 25V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF840ASPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:850 毫欧 @ 4.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1018pF @ 25V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
- 接口 - I/O 扩展器 NXP Semiconductors 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC I/O EXPANDER I2C 16B 24SOIC
- TVS - 二极管 ON Semiconductor SC-89,SOT-490 TVS ZENER DUAL 50W 5.6V SC89
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 15CIRC 9.50MM
- 其它 International Rectifier MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
- 固定式 API Delevan Inc 非标准 INDUCTOR POWER 68.0UH SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
- 接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 5.08MM 10POS PCB
- 板对板 - 阵列,边缘类型,包厢 3M 钮扣电池 CONN PLUG 80POS R/A .050" GLD
- TVS - 二极管 ON Semiconductor SC-89,SOT-490 TVS ZENER DUAL 50W 5.6V SC89
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 3CIRC 9.50MM
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
- 固定式 API Delevan Inc 非标准 INDUCTOR POWER 68.0UH SMD
- 接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 10POS
- 矩形 - 配件 3M 钮扣电池 CONN BACKSHELL 80POS STR .050"
- 尖端,喷嘴 OKI/Metcal 24-VFQFN 裸露焊盘 NOZZLE QUAD 28MM X 28MM