IRF840详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
- 系列：PowerMESH™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 3.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：832pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRF840详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 4.8A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRF840A详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 4.8A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1018pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRF840AL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 4.8A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1018pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：I2PAK
- 包装：管件
IRF840ALPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 4.8A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1018pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：I2PAK
- 包装：管件
IRF840APBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 4.8A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1018pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
- SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 4） SCR DBL 2SCR 1000V 75A ADD-A-PAK
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 18MH 0.11A SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 470 OHM 8 RES 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 1.54 OHM 1W 1% 2512 SMD
- SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 4） SCR DBL 2SCR 1200V 95A ADD-A-PAK
- SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 4） SCR DBL 2SCR 400V 90A ADD-A-PAK
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 4.7K OHM 8 RES 1206
- SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 4） SCR DBL 2SCR 1400V 90A ADD-A-PAK
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 1.6 OHM 1W 5% 2512 SMD
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 40V 130A TO-262
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 2700UH 0.29A SMD
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
0755-83202411 
13410941925 
0755-82533156 
0755-22929859 
15573532128（原 
0755-82561519 
15573532128（原 
0755-83663430 
0755-83202997 
0755-88917652 
0755-82561519 
0755-18503085 
15573532128（原 
755-88608527（ 
0755- 8251939 
