

IRF7811WGTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 15A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2335pF @ 16V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
IRF7811WGTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 15A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2335pF @ 16V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
IRF7811WGTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 15A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2335pF @ 16V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:Digi-Reel®
IRF7811WPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 15A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2335pF @ 16V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
IRF7811WTR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 15A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2335pF @ 16V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
IRF7811WTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 15A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2335pF @ 16V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
- 晶体 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 6.500 MHZ 18PF SMD
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 2200PF 2KV 20% RADIAL
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8-SOIC
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 43POS STRGHT W/PINS
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS .100 R/A PCB
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3049G/H1504TR 3"
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 2200PF 2KV 20% RADIAL
- 晶体 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 6.500 MHZ 18PF SMD
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 43POS STRGHT W/SKT
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS .100 EYELET
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3048N/H1504TR 3"
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC