

IRF7501TR详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 2.4A MICRO8
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:135 毫欧 @ 1.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:260pF @ 15V
- 功率_最大:1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
- 供应商设备封装:Micro8?
- 包装:Digi-Reel®
IRF7501TR详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 2.4A MICRO8
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:135 毫欧 @ 1.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:260pF @ 15V
- 功率_最大:1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
- 供应商设备封装:Micro8?
- 包装:剪切带 (CT)
IRF7501TRPBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 2.4A MICRO8
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:135 毫欧 @ 1.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:260pF @ 15V
- 功率_最大:1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
- 供应商设备封装:Micro8?
- 包装:Digi-Reel®
IRF7501TRPBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 2.4A MICRO8
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:135 毫欧 @ 1.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:260pF @ 15V
- 功率_最大:1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
- 供应商设备封装:Micro8?
- 包装:剪切带 (CT)
IRF7501TRPBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 2.4A MICRO8
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:135 毫欧 @ 1.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:260pF @ 15V
- 功率_最大:1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
- 供应商设备封装:Micro8?
- 包装:带卷 (TR)
- 存储器 - PC 卡 - 连接器 JAE Electronics * CONN COMPACT FLASH RIGHT EJECTOR
- 按钮 NKK Switches SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-DIP(0.300",7.62mm) IC OP AMP CMOS QUAD MICRO 14-DIP
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 8.00 MHZ 20PF 49US
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 存储器 - PC 卡 - 连接器 JAE Electronics * CONN COMPACT FLASH LEFT EJECTOR
- 按钮 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 3A 125V
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC REG LDO 2.5V .2A 8-SOIC
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 8.0000 MHZ 20PF SMD
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments * IC REG LDO 5V .2A 8-SOIC
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 功率,高于 2 安 Panasonic Electric Works * RELAY GEN PURPOSE DPST 10A 6V
- 按钮 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 3A 125V
- FET - 阵列 International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8