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IRF7494PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1750pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：管件

IRF7494TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1750pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

IRF7494TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1750pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

IRF7494TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1783pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

IRF7494TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1783pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

IRF7494TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1783pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

JC26E-DRLE
存储器 - PC 卡 - 连接器 JAE Electronics * CONN COMPACT FLASH LEFT EJECTOR
LNJ717W80RA
LED - 分立式 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products 4-SMD，无引线; TSS-3 LED SOFT ORG/PURE GREEN/BLUE TSS
IRF7494PBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC
LMC6064AIMX/NOPB
未定义的系列 Texas Instruments * IC OPAMP CMOS QUAD MICRPWR14SOIC
ECS-80-20-19A-TR
晶体 ECS Inc 2-SMD CRYSTAL 8.000MHZ 20PF SMD
LP2988IMM-3.8/NOPB
PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC REG LDO 3.8V .2A 8MSOP
IVS8-5H0-5H0-5H0-80-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
JC26-FRRN
存储器 - PC 卡 - 连接器 JAE Electronics * CONN COMPACT FLASH RIGHT EJECTOR
LB15WKG01-6B-JB
按钮 NKK Switches SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V
ECS-80-20-4X
晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 8.00 MHZ 20PF 49US
IVS8-5N0-5N0-3E0-3E0-A0-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
JC26-FSLN
存储器 - PC 卡 - 连接器 JAE Electronics * CONN COMPACT FLASH LEFT EJECTOR
LB15WKW01-28-BJ
按钮 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 3A 125V
LP2988IMX-2.5
PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG LDO 2.5V .2A 8-SOIC
LMC6081AIMX/NOPB
未定义的系列 Texas Instruments * IC OP AMP PREC CMOS SINGLE 8SOIC

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