IRF7478QTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 4.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1740pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
IRF7478QTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 4.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1740pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:Digi-Reel®
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 1000PF 50V 10% X7R 0402
- 铁氧体磁珠和芯片 Laird-Signal Integrity Products 2220(5750 公制) FERRITE 4.5A 500 OHMS 2220 SMD
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 48-TFBGA IC PSRAM 8MBIT 70NS 48TFBGA
- 过时/停产零件编号 Freescale Semiconductor SOFTWARE/SUPPORT OSEKTIME DEV S
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
- 振荡器 Fox Electronics 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 3.6864 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 0.015UF 50V 10% X7R 0402
- 热缩管 TE Connectivity 2-PLCC HEAT SHRINK TUBING
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Fairchild Semiconductor 10-UFQFN IC SWITCH DUAL SPDT 10UMLP
- SCR - 单个 Cynergy 3 TO-220AB 隔离片 SCR 25A 1200V ISOLATED TO-220AB
- 过时/停产零件编号 Freescale Semiconductor SOFTWARE/SUPPORT OSEKTIME FLT D
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 2200PF 50V 10% X7R 0402
- 固定式 API Delevan Inc 非标准 INDUCTOR RF 8.2NH UNSHIELDED SMD
- 振荡器 Fox Electronics 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 54 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Fairchild Semiconductor 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC SWITCH DP3T 14TSSOP