IRF7413Z详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 13A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1210pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
IRF7413ZGTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 13A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1210pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
IRF7413ZGTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 13A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1210pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
IRF7413ZGTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 13A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1210pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:Digi-Reel®
IRF7413ZPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 13A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1210pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
IRF7413ZTR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 13A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1210pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div T-BEAM FIBER R4 RUGGED 2M CBL
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 11POS STRGHT W/SKT
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR HIGH CURRENT 1.0UH SMD
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 150V D2PAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER SIDEVIEW THRUBEAM 2M
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 32POS STRGHT W/PINS
- FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR HIGH CURRENT 1.0UH SMD