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IRF740LC详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：400V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF740LCL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：400V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

IRF740LCPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：400V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF740LCS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：400V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF740LCSTRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：400V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF740LCSTRR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：400V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF830ASTRL
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
IRF740LCSTRL
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
HFU331KBFEJ0KR
陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 330PF 6KV 10% RADIAL
E39-S46
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SLITS .5MM 1MM 2MM FOR E3S-AT
ISC1210EB8R2K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 8.2UH 10% 1210
H3BKH-5036M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HSR50H/AE50M/HPK50H
HFW1196S01
信号，高达 2 A TE Connectivity 径向，圆盘 RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 26.5V
HC006A6A1Z
DC DC Converters GE 18-DIP 模块（6 引线） CONVERTER DC/DC 5.0V 6.6A OUTPUT
HCNW4503-000E
光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 8-DIP（0.400"，10.16mm） OPTOCOUPLER T-OUT 1MBD 8DIP WIDE
E39-S47
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SLITS .5MM 1MM 2MM FOR E3S-B
H3BKH-6006M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HSR60H/AE60M/HPK60H
HFW1201D00
信号，高达 2 A TE Connectivity 径向，圆盘 RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 26.5V
ISC1210EBR10J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 100NH 5% 1210
HC1-100-R
固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR POWER HI CURR 10UH SMD
IRF8327STRPBF
其它 International Rectifier MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

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