IRF7379详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.8A,4.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 5.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
IRF7379PBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.8A,4.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 5.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
IRF7379QTRPBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.8A,4.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 5.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
IRF7379QTRPBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.8A,4.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 5.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:Digi-Reel®
IRF7379TR详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.8A,4.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 5.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
IRF7379TRPBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.8A,4.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 5.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 10UH 5% 1812
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil SOT-23-6 IC TX ESD RS485/422 LP SOT23-6
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 86POS .156 EYELET
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCT LO PROFILE 100NH 53A SMD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 5mm x 20mm CONN EDGECARD 24POS R/A .100 SLD
- TVS - 二极管 NXP Semiconductors 5-UFBGA,WLCSP IC USB2.0 HS ESD PROTECT 5CSP
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil * IC TXRX
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 86POS .156 EYELET
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCT LO PROFILE 100NH 53A SMD
- TVS - 二极管 NXP Semiconductors 16-WFBGA,WLCSP IC ESD PROTECTION HS MMC 16CSP
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 5mm x 20mm CONN EDGECARD 24POS .100 R/A SLD
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 150UH 10% 1812
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil * IC TXRX