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IRF7343PBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N+P 55V 3.4A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.7A，3.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 4.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：管件

IRF7343QTRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.7A，3.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 4.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

IRF7343QTRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.7A，3.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 4.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

IRF7343TRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N+P 55V 3.4A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.7A，3.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 4.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

IRF7343TRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N+P 55V 3.4A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.7A，3.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 4.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

IRF7343TRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N+P 55V 3.4A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.7A，3.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 4.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

FQ7050B-10
晶体 Fox Electronics 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CRYSTAL 10.0 MHZ 20PF SMD
HFBR-RUD100
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST DUPLEX 100M
IRF7343TRPBF
FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N+P 55V 3.4A 8-SOIC
IRLR3715ZTRRPBF
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
JR25WR-8P(71)
连接器，互连器件 Hirose Electric Co Ltd CONN RCPT WATERPROOF 8POS MALE
CY7C199C-20VXC
存储器 Cypress Semiconductor Corp 28-BSOJ IC SRAM 256KBIT 20NS 28SOJ
FWP-500A
保险丝 - 电气，特制 Cooper Bussmann 圆柱形，扁平端子（螺栓） FUSE 500A 700V HS BOLT-ON
FQ7050B-11.0592
晶体 Fox Electronics 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CRYSTAL 11.0592 MHZ 20PF SMD
HFBR-RUD100
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST DUPLEX 100M
IRLR3717TRPBF
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
CY7C199CN-12VXI
存储器 Cypress Semiconductor Corp 28-BSOJ IC SRAM 256KBIT 12NS 28SOJ
FWP-50A
保险丝 - 电气，特制 Cooper Bussmann 螺栓安装 FUSE 50A 700V FAST
HFBR-RUD100Z
光纤 Avago Technologies US Inc. FIBER OPTIC CBL DUPLEX 1=100M
IRLR7821TRLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
JR4N1-CL1-1F
同轴，RF Digi International CABLE RPSMA MALE TO N-MALE 1FT

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