IRF7342详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 P 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫欧 @ 3.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：690pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7342D2PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：二极管（隔离式）
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫欧 @ 3.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：690pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7342D2TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：二极管（隔离式）
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫欧 @ 3.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：690pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF7342D2TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：二极管（隔离式）
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫欧 @ 3.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：690pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
IRF7342D2TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：二极管（隔离式）
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫欧 @ 3.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：690pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
IRF7342PBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 P 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫欧 @ 3.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：690pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 34POS .100 EXTEND
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
- 光隔离器 - 晶体管，光电输出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD，鸥翼型 OPTOCOUPLER ANALOG 8-SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div REFLCTR SHEET 104X46MM FOR E3C-L
- 连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 61POS STRGHT W/SKT
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A2015V/H1504TR10"
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 34POS .100 EYELET
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 3300PF 2KV 20% RADIAL
- 光隔离器 - 晶体管，光电输出 Avago Technologies US Inc. 8-DIP（0.400"，10.16mm） OPTOCOUPLER T-OUT 1MBD 8DIP WIDE
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div REFLECTOR ADHESV TAPE 10X35MM
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 61POS SKT
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3048Y/H1504TR10"
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 34POS .100 EXTEND
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 470PF 2KV 10% RADIAL
755-83252273 
0755-82542579 
0755-82569753 
0755-８２７８９２９６ 
0755-84507209 
0755-83202411 
0755-88917652 
18927479189 
755-83241160（ 
0755-83051566 
0755-82525087 
0755-82522939 
010-62962871、 
19166203057 
18026926850/0 
