IRF7322D1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
- 系列:FETKY™
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:二极管(隔离式)
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫欧 @ 2.9A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 15V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
IRF7322D1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
- 系列:FETKY™
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:二极管(隔离式)
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫欧 @ 2.9A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 15V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
IRF7322D1TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
- 系列:FETKY™
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:二极管(隔离式)
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫欧 @ 2.9A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 15V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
IRF7322D1TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
- 系列:FETKY™
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:二极管(隔离式)
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫欧 @ 2.9A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 15V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
IRF7322D1TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
- 系列:FETKY™
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:二极管(隔离式)
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫欧 @ 2.9A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 15V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
IRF7322D1TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
- 系列:FETKY™
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:二极管(隔离式)
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫欧 @ 2.9A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 15V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:Digi-Reel®
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 11POS W/PIN CABLE
- IGBT - 单路 IXYS TO-264-3,TO-264AA IGBT BIMOSFET 1700V 200A TO-264
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
- 陶瓷 Panasonic Electronic Components 1206(3216 公制) CAP CER 2.2UF 25V 10% X5R 1206
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 23POS BOX MNT SKT
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 32POS W/PIN CABLE
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 470PF 50V 10% RADIAL
- 陶瓷 Panasonic Electronic Components 1206(3216 公制) CAP CER 0.47UF 25V 10% X7R 1206
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments IC VREF SHUNT PREC 1.225V SOT23
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS BOX MNT W/PINS
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 30V 9.7A 8-SOIC
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 32POS W/PIN CABLE
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 470PF 100V 10% RADIAL