IRF6637TR1 全国供应商、价格、PDF资料
IRF6637TR1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.7 毫欧 @ 14A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.35V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1330pF @ 15V
- 功率_最大:2.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MP
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MP
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6637TR1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.7 毫欧 @ 14A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.35V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1330pF @ 15V
- 功率_最大:2.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MP
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MP
- 包装:带卷 (TR)
IRF6637TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.7 毫欧 @ 14A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.35V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1330pF @ 15V
- 功率_最大:2.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MP
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MP
- 包装:带卷 (TR)
IRF6637TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.7 毫欧 @ 14A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.35V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1330pF @ 15V
- 功率_最大:2.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MP
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MP
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6637TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.7 毫欧 @ 14A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.35V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1330pF @ 15V
- 功率_最大:2.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MP
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MP
- 包装:Digi-Reel®
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MP MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
- PMIC - 热管理 Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC SENSOR DGTL SPI/MICRO SOT23
- IGBT - 单路 IXYS TO-247-3 IGBT W/DIODE 600V 60A TO-247AD
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 220PF 50V 10% RADIAL
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 Texas Instruments 20-UFQFN,CSP IC FREQ SYNTH DUAL 20LAMUTCSP
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 27 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC
- PMIC - 稳压器 - 线性 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC REG LDO 3.3V .1A 8-SOIC
- IGBT - 单路 IXYS TO-247-3 IGBT 600V TO-247
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 Texas Instruments 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC SYNTHESIZER DUAL 5GHZ 20TSSOP
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 220PF 50V 10% RADIAL
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-MSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 2.7K OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- PMIC - 稳压器 - 线性 STMicroelectronics TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 IC REG LDO 3.3V .1A TO-92