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IRF6633TR1详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1250pF @ 10V; 功率_最大：2.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DirectFET? 等容 MP; 供应商设备封装：DIRECTFET? MP; 包装：带卷 (TR)

IRF6633TR1PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1250pF @ 10V; 功率_最大：2.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DirectFET? 等容 MP; 供应商设备封装：DIRECTFET? MP; 包装：Digi-Reel®

IRF6633TR1PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1250pF @ 10V; 功率_最大：2.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DirectFET? 等容 MP; 供应商设备封装：DIRECTFET? MP; 包装：剪切带 (CT)

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IRF6633TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1250pF @ 10V; 功率_最大：2.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DirectFET? 等容 MP; 供应商设备封装：DIRECTFET? MP; 包装：Digi-Reel®

IRF6633TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1250pF @ 10V; 功率_最大：2.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DirectFET? 等容 MP; 供应商设备封装：DIRECTFET? MP; 包装：剪切带 (CT)

IMC1210AN3R3K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 3.3UH 10% 1210
KPT06B22-55SW
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 55POS W/SKT CABLE
IRF6633ATR1PBF
FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等距 MU MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
KMPC8360CZUAJDG
嵌入式 - 微处理器 Freescale Semiconductor 740-LBGA IC MPU PWRQUICC II 740-TBGA
KPSE01F14-5PA71
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 5POS CBL MNT PIN
K392M15X7RH53L2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 3900PF 100V X7R RADIAL
IRF7465PBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
IMC1210BN10NK
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 10NH 10% 1210
IVS1-5W0-2Q0-1L0-00-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
KMPC8360EVVAJDGA
嵌入式 - 微处理器 Freescale Semiconductor 740-LBGA IC MPU POWERQUICC II PRO 740TBGA
KPSE01F14-5PW
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 5POS CBL MNT PIN
K392M15X7RH5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 3900PF 100V X7R RADIAL
IRF7465TRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
KPT06B24-61P
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 61POS W/PIN CABLE
IMC1210BN151K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 150UH 10% 1210

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