IRF6622TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.3 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.35V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1450pF @ 13V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 SQ
- 供应商设备封装:DIRECTFET? SQ
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6622TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.3 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.35V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1450pF @ 13V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 SQ
- 供应商设备封装:DIRECTFET? SQ
- 包装:Digi-Reel®
IRF6622TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.3 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.35V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1450pF @ 13V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 SQ
- 供应商设备封装:DIRECTFET? SQ
- 包装:带卷 (TR)
IRF6622TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.3 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.35V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1450pF @ 13V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 SQ
- 供应商设备封装:DIRECTFET? SQ
- 包装:带卷 (TR)
IRF6622TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.3 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.35V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1450pF @ 13V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 SQ
- 供应商设备封装:DIRECTFET? SQ
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6622TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.3 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.35V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1450pF @ 13V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 SQ
- 供应商设备封装:DIRECTFET? SQ
- 包装:Digi-Reel®
- 固定式 Vishay Dale 0805(2012 公制) INDUCTOR WW 680NH 5% 0805
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
- 嵌入式 - 微处理器 Freescale Semiconductor 672-LBGA IC MPU PWRQUICC II 672-TBGA
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 36POS CABLE SKT
- 固定式 Vishay Dale 1008(2520 公制) INDUCTOR 1.0UH 5% SMD
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 3900PF 100V 10% RADIAL
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 嵌入式 - 微处理器 Freescale Semiconductor 672-LBGA IC MPU PWRQUICC II 672-TBGA
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 41POS W/PIN CABLE
- 圆形 - 外壳 ITT Cannon 12 SOCKET CONTACT CONNECTOR
- 固定式 Vishay Dale 1008(2520 公制) INDUCTOR 22NH 5% SMD
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 3900PF 50V X7R RADIAL