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IRF6616详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫欧 @ 19A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3765pF @ 20V; 功率_最大：2.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DirectFET? 等容 MX; 供应商设备封装：DIRECTFET? MX; 包装：带卷 (TR)

IRF6616TR1详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫欧 @ 19A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3765pF @ 20V; 功率_最大：2.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DirectFET? 等容 MX; 供应商设备封装：DIRECTFET? MX; 包装：剪切带 (CT)

IRF6616TR1详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫欧 @ 19A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3765pF @ 20V; 功率_最大：2.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DirectFET? 等容 MX; 供应商设备封装：DIRECTFET? MX; 包装：带卷 (TR)

IRF6616TR1PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫欧 @ 19A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3765pF @ 20V; 功率_最大：2.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DirectFET? 等容 MX; 供应商设备封装：DIRECTFET? MX; 包装：Digi-Reel®

IRF6616TR1PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫欧 @ 19A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3765pF @ 20V; 功率_最大：2.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DirectFET? 等容 MX; 供应商设备封装：DIRECTFET? MX; 包装：带卷 (TR)

IRF6616TR1PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫欧 @ 19A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3765pF @ 20V; 功率_最大：2.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DirectFET? 等容 MX; 供应商设备封装：DIRECTFET? MX; 包装：剪切带 (CT)

DTS26W13-8PN
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 8POS STRGHT W/PINS
DTS24F23-35SD-LC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 100POS SKT
IRF6616TR1
FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
DS21349Q+T&R
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Maxim Integrated 28-LCC（J 形引线） IC LIU T1/J1 3.3V 28-PLCC
INA128UA/2K5E4
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP INSTR 1.3MHZ SGL 8SOIC
DTS20W23-53BD
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 53POS SKT
GTC02R-22-22P
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 4POS BOX MNT W/PINS
DTS26W13-8PN-LC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 8POS PIN
GSM08DSEF-S243
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS .156 EYELET
DS21352LB
接口 - 电信 Maxim Integrated 100-LQFP IC TXRX 1-CHIP T1 3.3V 100-LQFP
INA128UAG4
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP INSTR 1.3MHZ SGL 8SOIC
GTC02R-22-22SY
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 4POS BOX MNT W/SCKT
DTS20W23-53BE
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 53POS SKT
GSM08DSEI-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS .156 EXTEND
DTS26W13-8SA
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 8POS STRGHT W/SKT

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