IRF644STRL 全国供应商、价格、PDF资料
IRF644STRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫欧 @ 8.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:68nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRF644STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫欧 @ 8.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:68nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 22PF 50V 5% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 1.80M OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- FET - 单 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 200V 88A PLUS247
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 180PF 500V 5% RADIAL
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments * IC OP AMP QUAD & ADJ REF 16-SOIC
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.1UF 400VDC RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 22PF 50V 5% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 270K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 180PF 50V 10% RADIAL
- 未定义的系列 Texas Instruments * IC OP AMP DUAL 75MHZ 8-SOIC
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 1500PF 400VDC RADIAL
- FET - 单 IXYS DE475 MOSFET N-CH 75V 465A DE-475
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 22PF 100V 5% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 27.4K OHM 1/4W 1% 1206 SMD