IRF640STRL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 11A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V
- 功率_最大：130W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRF640STRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 11A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V
- 功率_最大：130W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：TO-263（D2Pak）
- 包装：剪切带 (CT)
IRF640STRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 11A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V
- 功率_最大：130W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：TO-263（D2Pak）
- 包装：Digi-Reel®
IRF640STRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 11A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V
- 功率_最大：130W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：TO-263（D2Pak）
- 包装：带卷 (TR)
IRF640STRR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 11A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V
- 功率_最大：130W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRF640STRRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 11A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V
- 功率_最大：130W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：TO-263（D2Pak）
- 包装：Digi-Reel®
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDP10H/AE10G/X
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A2015B/H1500TR10"
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- FET - 阵列 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 30V 4.6A 8TSSOP
- 连接器，互连器件 LEMO TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 PLUG CDG 2CTS C-COL
- FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDP14H/AE14G/X
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-204AC，DO-15，轴向 DIODE 1.5A 1000V SMC DO15
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A2015L/H1500TR10"
- FET - 阵列 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH DUAL 20V 3.9A 8TSSOP
- FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
- 连接器，互连器件 LEMO TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 PLUG CDG 2CTS C-COL
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDP10S/AE10G/X
- 光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 Sharp Microelectronics 开槽模块 PHOTOINTERRUPTER OPIC SLOT
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3049R/H1500TR10"
0755-88917652 
755-83241160（ 
19166203057 
0755-84507209 
0755-82533534 
0512-67241533 
13510131896 
0755- 8251939 
0755-83663430 
0755-22929859 
0755-18503085 
0755-83286481 
0755-23919407 
15112667855 
0755-89697985 
0755-88291559 
