IRF640NSPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 11A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1160pF @ 25V
- 功率_最大：150W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRF640NSTRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 11A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1160pF @ 25V
- 功率_最大：150W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：Digi-Reel®
IRF640NSTRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 11A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1160pF @ 25V
- 功率_最大：150W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRF640NSTRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 11A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1160pF @ 25V
- 功率_最大：150W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：剪切带 (CT)
IRF640NSTRRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 11A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1160pF @ 25V
- 功率_最大：150W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：剪切带 (CT)
IRF640NSTRRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 11A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1160pF @ 25V
- 功率_最大：150W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：Digi-Reel®
- 光学 - LED，灯 - 透镜 Ledil - LENS LXP MEDIUM 26DEG
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 5.6UH 15A SMD
- PMIC - 稳流/电流管理 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC CURRENT MONITOR 0.5% SOT23-5
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 0606（1616 公制），凸起 RES ARRAY 7.5K OHM 2 RES 0606
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 10UH 19A SMD
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 0606（1616 公制），凸起 RES ARRAY 82K OHM 2 RES 0606
- PMIC - 稳流/电流管理 Texas Instruments 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC CURRENT MONITOR 0.5% 8TSSOP
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-262
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 10UH 16A SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP INSTR 1MHZ SGL 8SOIC
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 0606（1616 公制），凸起 RES ARRAY 9.1 OHM 2 RES 0606
- FET - 单 Infineon Technologies TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 25V 50A TO-251
- 逻辑 - 锁销 Texas Instruments 48-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） IC DTYPE LATCH 16BIT 48TSSOP
- USB PHIHONG USA TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB CABLE USB A TO MICRO-B 1.5M
0755-83202411 
13410941925 
0755-82561519 
0755-83226745 
13510131896 
0755-83663430 
0755-83202997 
0755-88917652 
755-83241160（ 
0755-82524712 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-82569753 
0755-22655674 
0755-83268779 
