IRF634详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 250V 8A TO-220
- 系列:MESH OVERLAY™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫欧 @ 4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:51.8nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:770pF @ 25V
- 功率_最大:80W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRF634详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫欧 @ 5.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:770pF @ 25V
- 功率_最大:74W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRF634B_FP001详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫欧 @ 4.05A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1000pF @ 25V
- 功率_最大:74W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220
- 包装:管件
IRF634L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-262
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫欧 @ 5.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:770pF @ 25V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:I2PAK
- 包装:管件
IRF634NLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 250V 8A TO-262
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:435 毫欧 @ 4.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:620pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:I2PAK
- 包装:管件
IRF634NPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 250V 8A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:435 毫欧 @ 4.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:620pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 8.6PF 50V S2H 0402
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 3.6864 MHZ 3.3V SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9.0A D2PAK
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC
- 光纤 - 收发器 Avago Technologies US Inc. TXRX OPTICAL SFF 1.25GBD ISCSI
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 1MX36 1.8V SYNC 165FBGA
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 8.8PF 50V S2H 0402
- FET - 单 International Rectifier * MOSFET N CH 40V 90A DPAK
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 32.11 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 8-DIP(0.300",7.62mm) IC MOSFET DRIVER LOW-SIDE 8-DIP
- 光纤 - 收发器 Avago Technologies US Inc. TXRX MMF FE ATM SONET OC-3 2X5
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 1MX36 1.8V SYNC 165FBGA
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 8.9PF 50V S2H 0402
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 65.0159 MHZ 3.3V PECL SMD