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IRF6215STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：13A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫欧 @ 6.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

IRF6215STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：13A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫欧 @ 6.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

IRF6215STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：13A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫欧 @ 6.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF6215STRR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：13A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫欧 @ 6.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF6215STRRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：13A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫欧 @ 6.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

GP11MCKE
按钮 C&K Components 模块 SWITCH PUSH SPST-NO 0.4VA 20V
H2MXH-6018M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM60H/AE60M/X
IRF6215L-103PBF
FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
IPI45N06S4-09
FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
FGB.0B.307.CLAD52Z
连接器，互连器件 LEMO SC-94 PLUG CDB 7CTS C-COL
H2BBT-10105-R4-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A2015R/H1500TR 5"
H2MXH-6406G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM64H/AE64G/X
IRF7704GTRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
GP11MSABE
按钮 C&K Components 模块 SWITCH PUSH SPST-NO 0.4VA 20V
H2BBT-10105-V4-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A2015V/H1500TR 5"
FGB.1B.304.CLAD52Z
连接器，互连器件 LEMO SC-94 PLUG CDB 4CTS C-COL
IPI60R099CPA
FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
IRF7704TR
FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
H2MXS-1036M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM10S/AE10M/X
GP11MSAKE
按钮 C&K Components 模块 SWITCH PUSH SPST-NO 0.4VA 20V

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