IRF614SPBF 全国供应商、价格、PDF资料
IRF614SPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 欧姆 @ 1.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:140pF @ 25V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.018UF 50V 20% RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 18PF 100V 10% RADIAL
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.047UF 630VDC RADIAL
- FET - 阵列 International Rectifier 6-TSOP(0.059",1.50mm 宽) MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 10M OHM 1/8W 5% 0805 SMD
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Texas Instruments * IC REG CTRLR BUCK PWM CM 28TSSOP
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.018UF 50V 20% RADIAL
- FET - 单 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 200V 66A TO-268(D3)
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 1.1M OHM 1/8W 5% 0805 SMD
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.018UF 50V 20% RADIAL
- FET - 单 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
- 溫度 Texas Instruments IC THERMOSTAT DUAL LO PWR 8-MSOP
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.47UF 630VDC RADIAL