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IRF614详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 欧姆 @ 1.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：36W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF614L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 欧姆 @ 1.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF614PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 欧姆 @ 1.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：36W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF614S详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 欧姆 @ 1.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF614SPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 欧姆 @ 1.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF614STRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 欧姆 @ 1.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

ISL8394IB
接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC SWITCH QUAD SPDT 20SOIC
LM8365BCLMF30/NOPB
PMIC - 监控器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC DETECT UNDERVOLT 3V SOT-23-5
IP-RIOPHY
软件 Altera TO-220-3 IP RAPID I/O
IRF614S
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
KAP-14DG-24
功率，高于 2 安 TE Connectivity RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 24V
LM2696MXAX/NOPB
未定义的系列 Texas Instruments 16-TSSOP（0.173"，4.40mm）裸露焊盘 IC REG BUCK ADJ 3A 16-TSSOP
IHLP6767GZER4R7M11
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 4.7UH 30A SMD
K334M20X7RF53L2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.33UF 50V 20% RADIAL
LM83CIMQAX/NOPB
未定义的系列 Texas Instruments * IC TEMP SENSOR DIGITAL 16-SSOP
KAP-5AG-120
功率，高于 2 安 TE Connectivity RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 120V
IPR-NCO
软件 Altera TO-220-3 IP NCO COMPILER RENEW
LM26CIM5-BPB/NOPB
溫度 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC THERMOSTAT PRESET SOT23-5
IHLP6767GZER6R8M01
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 6.8UH 19A SMD
K334M20X7RF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.33UF 50V 20% RADIAL
LM84BIMQAX/NOPB
PMIC - 热管理 Texas Instruments * IC TEMP SENSOR DIGITAL 16-SSOP

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