IRF610S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 欧姆 @ 2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:140pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF610SPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 欧姆 @ 2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:140pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF610STRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 欧姆 @ 2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:140pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRF610STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 欧姆 @ 2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:140pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D²PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRF610STRR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 欧姆 @ 2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:140pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRF610STRRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 欧姆 @ 2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:140pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 桥式整流器 Vishay General Semiconductor 4-SIP,GSIB-5S DIODE 6A 800V GSIB-5S
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 7POS STRGHT W/PINS
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 39POS JAM NUT W/PINS
- 数据采集 - 数字电位器 Maxim Integrated 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC POT DIGITAL DUAL 100K 20TSSOP
- 晶体管(BJT) - 阵列 Rohm Semiconductor SC-74,SOT-457 TRANS DUAL NPN 50V 150MA SOT-457
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 39POS FLANGE W/SKT
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 2POS INLINE W/PINS
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 4-SIP,GSIB-5S CONN EDGECARD 4POS R/A .156 SLD
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 39POS JAM NUT W/SKT
- 数据采集 - 数字电位器 Maxim Integrated 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC POT DIGITAL DUAL 50K 20-TSSOP
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 14POS INLINE W/PINS
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 39POS FLANGE W/SKT
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 4-SIP,GSIB-5S CONN EDGECARD 4POS .156 EXTEND
- 晶体管(BJT) - 阵列 Rohm Semiconductor SC-74,SOT-457 TRANS DUAL NPN 20V 50MA SOT-457