IRF5803D2详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：二极管（隔离式）
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：112 毫欧 @ 3.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：（0pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF5803D2PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：二极管（隔离式）
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：112 毫欧 @ 3.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：（0pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF5803D2TR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：二极管（隔离式）
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：112 毫欧 @ 3.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：（0pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF5803D2TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：二极管（隔离式）
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：112 毫欧 @ 3.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：（0pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
IRF5803D2TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：二极管（隔离式）
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：112 毫欧 @ 3.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：（0pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
IRF5803D2TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：二极管（隔离式）
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：112 毫欧 @ 3.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：（0pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC OPAMP GP LP RR DUAL 10MSOP
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 18PF 50V 10% RADIAL
- FET - 单 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽） MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.047UF 630VDC RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 910K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC
- FET - 单 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 500V 52A TO268
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.018UF 200V 10% RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 18PF 50V 10% RADIAL
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 10 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
- FET - 单 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.018UF 50V 20% RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 18PF 50V 10% RADIAL
- FET - 单 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽） MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
0755-22655674 
755-83241160（ 
0755-84507209 
0755-82533534 
0755-82170267 
0755-82561519 
075582788161 
0755-83259954 
13311626995 
0755-82561519 
755-83206150/ 
13381567868 
0755-83663430 
13711580601 
0755-22669259 
