IRF530STRR 全国供应商、价格、PDF资料
IRF530STRR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 8.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:670pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRF530STRRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 8.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:670pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:TO-263(D2Pak)
- 包装:带卷 (TR)
IRF530STRRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 8.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:670pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:TO-263(D2Pak)
- 包装:剪切带 (CT)
IRF530STRRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 8.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:670pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:TO-263(D2Pak)
- 包装:Digi-Reel®
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps ON Semiconductor 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 IC OP AMP SGL LV SC-88A-5
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 4.000MHZ 20PF SMD
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.033UF 630VDC RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 4.70K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- FET - 单 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.018UF 50V 10% RADIAL
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC MOSFET DRVR DUAL SYNC 14-SOIC
- 触摸屏覆盖层 IRTouch Systems 径向 TOUCHSCREEN 17" USB SIDE MT
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP GP R-R 5.5MHZ 8SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 47.0K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- FET - 单 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.018UF 50V 10% RADIAL
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 16-VQFN 裸露焊盘 IC MOSFET DRVR DUAL SYNC 16-QFN
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 18PF 50V 5% RADIAL
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP GP R-R 5.5MHZ 8SOIC