IRF530N,127详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
- 系列：TrenchMOS™
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 9A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：633pF @ 25V
- 功率_最大：79W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRF530NL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 17A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 9A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
IRF530NPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 9A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 25V
- 功率_最大：70W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRF530NS详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 9A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRF530NSPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 9A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRF530NSTRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 9A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：Digi-Reel®
- 相机，投影仪 Tripp Lite SC-74，SOT-457 CAMERA USB W/MIC CLIP-ON
- DC DC Converters Delta Product Groups/Power 5-SIP 模块 POWER MODULE IPOL 10A
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 32 OUT NPN MIL
- DC DC Converters Delta Product Groups/Power 7-SMD 模块 POWER MODULE IPOL 8A SMD
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 6.8UH 9.0A SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC OPAMP INSTR 200KHZ SGL 8MSOP
- 键盘 Tripp Lite SC-74，SOT-457 KEYBOARD USB W/HOTKEYS
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 32 OUT NPN MIL
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 32 OUT PNP MIL
- DC DC Converters Delta Product Groups/Power 7-SMD 模块 MODULE POWER DC/DC POL 3A
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER .36UH 31.5A SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC OPAMP INSTR 6MHZ SGL 16DIP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC OPAMP INSTR 200KHZ SGL 8MSOP
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
0755-83202411 
13410941925 
0755-82533156 
0755-83242658 
0755-82561519 
13510131896 
0755-83663430 
0755-88917652 
0755-18503085 
755-83241160（ 
0755-82524712 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-82569753 
0755-22655674 
0755-83268779 
