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IRF5210STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：38A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 38A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2780pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF5210STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：38A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 38A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2780pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

IRF5210STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：38A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 38A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2780pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

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IRF5210STRLPBF 深圳市中新永盛科技有限公司 0755- 8321184
IRF5210STRLPBF 深圳市恒昌弘科技有限公司 17324435169
IRF5210STRLPBF 艾睿（深圳）半导体有限公司 15813737183
IRF5210STRLPBF 深圳宇邦高科技有限公司 15899765957 1
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IRF5210STRLPBF 深圳市科思奇电子科技有限公司 0755-83245050
IRF5210STRLPBF 深圳市昭兴微电子有限公司 0755-23991909
IRF5210STRLPBF 深圳市百润电子有限公司 17876146278/1
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IRF5210STRLPBF 北京首天伟业科技有限公司 010-62104931、
IRF5210STRLPBF 深圳市川蓝电子科技有限公司 0755-82522939
IRF5210STRLPBF 深圳市泰坦光电子有限公司 15889522512
IRF5210STRLPBF 深圳市金泽顺电子有限公司 0755-８２７８９２９６
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IRF5210STRLPBF 深圳市芯珵科技有限公司 13316817713

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