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IRF4905STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 42A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF4905STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 42A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

IRF4905STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 42A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

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Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC OP AMP HI OUT R-R SOT23-5
ISL8206MIRZ
DC DC Converters Intersil 15-BQFN IC BUCK SYNC ADJ 6A 15QFN
IPP65R280C6
FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
K333K15X7RF5TK2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.033UF 50V 10% RADIAL
LM2678SD-3.3/NOPB
PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Texas Instruments 14-VDFN 裸露焊盘 IC REG BUCK 3.3V 5A 14-LLP
IHLP5050EZER3R3M01
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 3.3UH 15A SMD