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IRF3805S详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫欧 @ 75A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：290nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7960pF @ 25V; 功率_最大：330W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF3805S-7PPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫欧 @ 140A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7820pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB; 供应商设备封装：D2PAK（7-Lead）; 包装：管件

IRF3805SPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫欧 @ 75A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：290nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7960pF @ 25V; 功率_最大：330W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF3805STRL-7PP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫欧 @ 140A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7820pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB; 供应商设备封装：D2PAK（7-Lead）; 包装：带卷 (TR)

IRF3805STRL-7PP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫欧 @ 140A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7820pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB; 供应商设备封装：D2PAK（7-Lead）; 包装：剪切带 (CT)

IRF3805STRL-7PP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫欧 @ 140A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7820pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB; 供应商设备封装：D2PAK（7-Lead）; 包装：Digi-Reel®

IRF7494TRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
IMP1-3H0-1H0-3H0-30-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power SC-74，SOT-457 IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IRF3711ZSTRR
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
DTS26F19-35SE-LC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 66POS SKT
IRF620S
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
E32-T16P 5M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR FIBER OPT THRU BEAM 11MM
HCM22DSEF-S243
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS .156 EYELET
IPR1SAD5104
按钮 APEM Components, LLC TO-220-3 SWITCH PUSHBUTTON SPST 2A 125V
IRF7501TR
FET - 阵列 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） MOSFET DUAL N-CH 20V 2.4A MICRO8
DTS26F21-11BA
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 11POS SKT
IRF620SPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
E32-T16P 5M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR FIBER OPT THRU BEAM 11MM
IPR3FAD1
按钮 APEM Components, LLC TO-220-3 SWITCH PUSH SPST-NO 0.5A 48V
HCM22DSEH-S243
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS .156 EYELET
IRF7503TRPBF
FET - 阵列 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 30V 2.4A MICRO8

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