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IRF3707ZS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF3707ZSPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 25µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF3707ZSTRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF3707ZSTRLP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF3707ZSTRR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF3707ZSTRRP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRFR214TRPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
IRF3707ZSTRL
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
HLMP-AL16-PSRZZ
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 径向 LED 5MM ALINGAP2 AMBER 30X70DEG
IXFN56N90P
FET IXYS SOT-227-4，miniBLOC MOSFET N-CH SOT-227B
HFBR-4402
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK PORT CAPS SMA 500EA
ISL88013IH523Z-TK
PMIC - 监控器 Intersil SC-74A，SOT-753 IC VOLTAGE MONITOR DUAL SOT23-5
CY7C1360C-166BZC
存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 9MBIT 166MHZ 165LFBGA
FVXO-HC73BR-7.3728
振荡器 Fox Electronics 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 7.3728 MHZ 3.3V HCMOS SMD
IRFR220TRRPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
HFBR-4402
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK PORT CAPS SMA 500EA
IXFN62N80Q3
FET IXYS SOT-227-4，miniBLOC MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227
ISL88013IH526Z-TK
PMIC - 监控器 Intersil SC-74A，SOT-753 IC VOLTAGE MONITOR DUAL SOT23-5
CY7C1360C-200BGC
存储器 Cypress Semiconductor Corp 119-BGA IC SRAM 9MBIT 200MHZ 119BGA
FVXO-HC73BR-73.728
振荡器 Fox Electronics 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 73.728 MHZ 3.3V HCMOS SMD
IRFR224TRPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK

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