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IRF3707详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：62A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1990pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF3707L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：62A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1990pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF3707LPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：62A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1990pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF3707PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：62A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1990pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF3707S详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：62A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1990pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF3707SPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：62A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1990pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRLL110TRPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
IRF3707
FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
E4001NLT
脉冲 Pulse Electronics Corporation 模块，连接器 XFRMR LAN ISOL 10BASE-T 1:2 SMD
IRG4BC20K-SPBF
IGBT - 单路 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT N-CHAN 600V 16A D2PAK
ISL32452EIUZ
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC TRANSCEIVER 8-MSOP
E39-L72
配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET FOR E3S-B VERT SENSOR
ISL9008AIEFZ-T
PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC REG LDO 2.5V .15A SC70-5
HM1C09D2C010EB
背板 - 专用 FCI 径向 - 4 引线 10POS LOADED HM1C
IRLL2703TRPBF
FET - 单 International Rectifier TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
IRG4BC20SDPBF
IGBT - 单路 International Rectifier TO-220-3 IGBT N-CH W/DIO 600V 19A TO220AB
ISL32453EIBZ
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC TRANSCEIVER 14-SOIC
ISL9008AIRUCZ-T
PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 6-UFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 1.8V .15A 6-UTDFN
E39-L85
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MNT BRACKET FOR E3S-42/44 VERT
IRLML0060TRPBF
FET - 单 International Rectifier TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3
HM1C09D2C010EBLF
背板 - 专用 FCI 径向 - 4 引线 10POS LOADED HM1C

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