IRF3415L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 150V 43A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:43A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:42 毫欧 @ 22A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:200nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRF3415PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:43A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:42 毫欧 @ 22A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:200nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRF3415S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:43A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:42 毫欧 @ 22A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:200nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF3415SPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:43A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:42 毫欧 @ 22A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:200nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF3415STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:43A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:42 毫欧 @ 22A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:200nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
IRF3415STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:43A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:42 毫欧 @ 22A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:200nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:Digi-Reel®
- FET - 单 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 2.7UH 5% 1812
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 12.288 MHZ SER 49US
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 20-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC REG CTRLR BUCK PWM VM 20-QSOP
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments * IC REG LDO 3V .15A SOT23-5
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 16.257MHZ SERIES SMD
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 10.000MHZ SERIES SMD
- FET - 单 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 500V 20A TO-268
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 12.288MHZ SERIES SMD
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM VM 20-QFN
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 17.734475 MHZ 18PF SMD
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments * IC REG LDO 3.3V .15A SOT23-5
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 10.000MHZ SERIES SMD
- FET - 单 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 500V 24A TO-268